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Diodos ESD de alta velocidad
Nuevos diodos de capacitancia ultra baja aseguran una protección de ESD robusta e integridad de la señal para líneas de datos que funcionan más allá de 10 GHz.
Nexperia ha introducido una nueva serie de diodos de protección ESD de 1V de alto rendimiento diseñados para salvaguardar las interfaces USB4 y Thunderbolt que operan a velocidades de datos más allá de 10 GHz.La línea de cinco diodos, incluidos modelos como PesD1V0C1BSF y PESD1V0H1BSF, está optimizado para proteger las líneas de transmisión de RF acopladas a AC en aplicaciones como teléfonos inteligentes, computadoras portátiles, sistemas de comunicación y periféricos.
Las características clave son:
Proteger contra la descarga electrostática de hasta ± 18kV
Manejar corrientes de sobretensión de hasta 9.6a
Proteger contra condiciones de cortocircuito
Ideal para puertos USB tipo-C no conformes con pantalones cortos VBUS a TX/RX potenciales
El desafío con interfaces de alta velocidad radica en equilibrar la integridad de la señal con una protección de ESD robusta.La nueva serie aborda esto ofreciendo una capacitancia de dispositivo ultra baja, hacia abajo a 0.1pf, y una pérdida de inserción mínima (tan baja como -0.21dB a 12.8GHz), sin resonancia de hasta 40 GHz.Esto los hace ideales para mantener la calidad de la señal en aplicaciones de frecuencia GHZ.Su paquete sin plomo DSN0603-2 (SOD962-2) ultra pequeño garantiza una baja inductancia parasitaria y admite diseños con restricciones espaciales.
De manera crucial, la nueva serie de diodos brinda a los diseñadores flexibilidad para que coincida con la solución de protección con diseños específicos de PCB.En los diseños donde el rastro entre el transceptor y el dispositivo de protección es corto, la inductancia más baja puede reducir el rendimiento de sujeción;Los rastros más largos ofrecen una mayor inductancia pero la integridad de la señal degradante del riesgo.Nexperia aborda ambos escenarios al proporcionar variantes de diodos adecuadas para diferentes estrategias de diseño.
Para optimizar aún más la integración, la compañía ofrece modelos de simulación de RF y semillas (diseño ESD eficiente del sistema) para admitir la selección de diodos y el ajuste de rendimiento a nivel de sistema.Esto hace que los nuevos diodos sean particularmente atractivos para los ingenieros que diseñan la próxima generación de dispositivos electrónicos de alta velocidad, compactos y confiables, donde tanto la protección como el rendimiento son primordiales.
"Con esta nueva serie, estamos dando a los diseñadores la flexibilidad de elegir la solución adecuada para su arquitectura de la junta, asegurando tanto la alta protección como el rendimiento de señal óptimo", dijo Stefan Seider, gerente de productos senior de Nexperia.