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F-Ram-Ram-Hard de Infineon para aplicaciones espaciales
Infineon Technologies AG se centra en aplicaciones basadas en el espacio, con sus productos utilizados en satélites, instrumentos Rover Mars y telescopios espaciales, todos los cuales requieren alta confiabilidad en condiciones adversas.La compañía ha anunciado la disponibilidad de los primeros dispositivos no volátiles de interfaz paralelo de interfaz paralelo de la industria (Hard) 1 y 2 MB.
La compañía afirma que la cartera de memoria ofrece confiabilidad y resistencia, con hasta 120 años de retención de datos a 85 grados Celsius, acceso aleatorio y escritura de memoria completa a velocidades de bus.Los dispositivos F-RAM son intrínsecamente resistentes, lo que los hace adecuados para los requisitos de la misión de las aplicaciones basadas en el espacio que históricamente han utilizado dispositivos de almacenamiento no volátiles más lentos de EEPROM.Las características en comparación con las alternativas incluyen un acceso aleatorio de memoria más rápido, una mejor seguridad de datos con tecnología de escritura instantánea no volátil, baja potencia, con voltaje de programación hasta 2 V y una corriente operativa máxima de 20 mA.
Los dispositivos F-RAM endurecidos por radiación están diseñados para varias aplicaciones, incluido el almacenamiento de datos para sensores e instrumentos, registro de datos de calibración, almacenamiento de clave segura para cifrado y almacenamiento del código de arranque.Estos dispositivos son adecuados para entornos exigentes como el espacio exterior, la aviónica y las aplicaciones militares, que operan en un amplio rango de temperatura de -55 ° C a 125 ° C.Los nuevos modelos F-RAM de interfaz paralela de Infineon ofrecen capacidades de memoria no volátiles superiores debido a su composición química única, que utiliza un interruptor de estado atómico instantáneo en lugar del método de carga atrapada que se encuentra en las tecnologías EEPROM.Este diseño garantiza la inmunidad a los errores suaves, los campos magnéticos y los efectos de la radiación.Además, estos dispositivos no requieren que el software administre los límites de la página y admite la resistencia casi ilimitada (10^13 ciclos de escritura), eliminando la necesidad de nivelar el desgaste.
"A medida que se diseñan más aplicaciones espaciales para procesar datos en el sistema, y no a la tierra a través de la telemetría, existe una creciente demanda de memoria de alta fiabilidad y memoria no volátil para trabajar en conjunto con procesadores de grado espacial y FPGA para registrar datosAplicaciones ”, dijo Helmut Puchner, vicepresidente, compañero aeroespacial y defensa, Infineon Technologies.
La compañía afirma que la cartera de memoria ofrece confiabilidad y resistencia, con hasta 120 años de retención de datos a 85 grados Celsius, acceso aleatorio y escritura de memoria completa a velocidades de bus.Los dispositivos F-RAM son intrínsecamente resistentes, lo que los hace adecuados para los requisitos de la misión de las aplicaciones basadas en el espacio que históricamente han utilizado dispositivos de almacenamiento no volátiles más lentos de EEPROM.Las características en comparación con las alternativas incluyen un acceso aleatorio de memoria más rápido, una mejor seguridad de datos con tecnología de escritura instantánea no volátil, baja potencia, con voltaje de programación hasta 2 V y una corriente operativa máxima de 20 mA.
Los dispositivos F-RAM endurecidos por radiación están diseñados para varias aplicaciones, incluido el almacenamiento de datos para sensores e instrumentos, registro de datos de calibración, almacenamiento de clave segura para cifrado y almacenamiento del código de arranque.Estos dispositivos son adecuados para entornos exigentes como el espacio exterior, la aviónica y las aplicaciones militares, que operan en un amplio rango de temperatura de -55 ° C a 125 ° C.Los nuevos modelos F-RAM de interfaz paralela de Infineon ofrecen capacidades de memoria no volátiles superiores debido a su composición química única, que utiliza un interruptor de estado atómico instantáneo en lugar del método de carga atrapada que se encuentra en las tecnologías EEPROM.Este diseño garantiza la inmunidad a los errores suaves, los campos magnéticos y los efectos de la radiación.Además, estos dispositivos no requieren que el software administre los límites de la página y admite la resistencia casi ilimitada (10^13 ciclos de escritura), eliminando la necesidad de nivelar el desgaste.
"A medida que se diseñan más aplicaciones espaciales para procesar datos en el sistema, y no a la tierra a través de la telemetría, existe una creciente demanda de memoria de alta fiabilidad y memoria no volátil para trabajar en conjunto con procesadores de grado espacial y FPGA para registrar datosAplicaciones ”, dijo Helmut Puchner, vicepresidente, compañero aeroespacial y defensa, Infineon Technologies.