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Impulsando el ancho de banda de la memoria a la era de la IA
Con interfaces de E/S duplicadas y un diseño TSV refinado de bajo voltaje, HBM4 remodela la forma en que las pilas de memoria mantienen el rendimiento bajo cargas de escala del centro de datos.
Samsung Electronics presentó su memoria HBM4 y comenzó la producción en masa, marcando lo que describe como una primicia en la industria para el estándar de memoria de alto ancho de banda de próxima generación.El dispositivo apunta a cargas de trabajo de centros de datos y computación de IA que exigen un mayor rendimiento y eficiencia energética.
Construida utilizando el proceso DRAM de clase 10 nm (1c) de sexta generación de la compañía y una base lógica de 4 nm, la nueva pila de memoria está diseñada para maximizar el rendimiento, la confiabilidad y la eficiencia energética.La arquitectura ofrece una velocidad de transferencia de datos constante de 11,7 Gbps, con un rendimiento escalable hasta 13 Gbps.Esto supera el punto de referencia de la industria de 8 Gbps en aproximadamente un 46 % y representa un aumento de 1,22 veces con respecto a la velocidad máxima de pin de 9,6 Gbps del HBM3E.
El ancho de banda total por pila alcanza hasta 3,3 TB/s, un aumento de 2,7 veces en comparación con su predecesor.Utilizando tecnología de apilamiento de 12 capas, las capacidades varían de 24 GB a 36 GB, con una futura configuración de 16 capas prevista para ampliar la capacidad hasta 48 GB.
Para abordar la duplicación de las E/S de datos de 1024 a 2048 pines, se integraron técnicas avanzadas de diseño de bajo consumo de energía en el núcleo.La memoria logra una mejora del 40% en la eficiencia energética a través de la tecnología de bajo voltaje a través de silicio (TSV) y la optimización de la red de distribución de energía.La resistencia térmica mejora un 10%, mientras que la disipación de calor aumenta un 30% en comparación con el HBM3E.
Una cooptimización de tecnología de diseño (DTCO) estrechamente integrada entre las operaciones de fundición y memoria respalda el rendimiento y el control de calidad, mientras que las capacidades internas de empaquetado avanzadas ayudan a agilizar los ciclos de producción.
Sang Joon Hwang, vicepresidente ejecutivo y director de desarrollo de memoria de Samsung, dice: "Al aprovechar la competitividad de nuestros procesos y la optimización del diseño, podemos asegurar un margen de rendimiento sustancial, lo que nos permite satisfacer las crecientes demandas de nuestros clientes de mayor rendimiento, cuando lo necesitan".